Модель:
RUR 291
M.2, PCI Express 3.0 x 4 (NVMe 1.3), контроллер Realtek RTS5762, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/1900 MBps, случайный доступ: 290000/240000 IOps
Модель:
RUR 118
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.5 В
Модель:
RUR 310
2 модуля, частота 4133 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.4 В
Модель:
RUR 118
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В
Модель:
RUR 114
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В
Модель:
RUR 323
2 модуля, частота 4133 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.4 В
Модель:
RUR 291
M.2, PCI Express 3.0 x 4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/1800 MBps, случайный доступ: 160000/190000 IOps
Модель:
RUR 206
M.2, PCI Express 3.0 x 4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2500/1800 MBps, случайный доступ: 160000/170000 IOps
Модель:
RUR 408
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В
Модель:
RUR 116
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
Модель:
RUR 236
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.5 В
Модель:
RUR 161
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 4133 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23-45, напряжение 1.4 В
Модель:
RUR 125
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.5 В
Модель:
RUR 344
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.5 В
Модель:
RUR 123
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-46, напряжение 1.5 В